삼성전자가 26일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
삼성전자는 이날 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024’에서 차세대 메모리 반도체 솔루션인 ‘컴퓨트익스프레스링크(CXL)’ 기술 기반 메모리와 고성능·고용량 고대역폭 메모리(HBM)를 선보였다.
이날 행사에서 미주 메모리연구소장인 최진혁 부사장과 D램 개발실장인 황상준 부사장이 기조연설을 했다. 삼성전자는 메모리 용량 측면에서는 CXL 기술이, 대역폭 측면에서는 HBM이 미래 AI 시대를 주도해 나갈 것이라고 밝혔다.
CXL은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 메모리 반도체를 효율적으로 연결해 데이터 처리 속도와 용량을 높이는 기술이다. 최근 반도체 성능을 높이는 미세공정 혁신의 속도가 늦춰지는 상황에서 기존 미세공정의 한계에서 벗어나 D램과 낸드플래시 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 생성형 AI의 발전으로 데이터 양이 많이 증가하면서 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다.
최진혁 부사장은 CXL은 메모리의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있어 삼성전자만의 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다고 밝혔다.
삼성전자는 CMM-D(D램), 낸드와 D램을 함께 사용하는 CMM-H(하이브리드), 메모리를 묶어서 공유하는 메모리 풀링 솔루션인 CMM-B(박스) 등 CXL 기반 솔루션을 대거 선보였다.
삼성전자는 SK하이닉스에 뒤처졌다는 평가를 받은 HBM 관련 최신 기술도 소개했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 생성형 AI 연산에 필수적이다.
황상준 부사장은 양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 인스타 한국인 팔로워 제품을 상반기에 양산해 AI 시대 고성능·고용량 메모리 리더십을 이어가겠다고 밝혔다.
황 부사장은 올해 삼성전자의 HBM 출하량을 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있을 것으로 내다봤다. 앞서 삼성전자는 올해 HBM 출하 목표치를 전년 대비 2.5배로 제시한 바 있다.
하루 5시간씩 서울 지하철에서 절도 행각을 벌인 러시아인 소매치기 일당이 징역형을 선고받았다.
24일 법조계에 따르면 서울중앙지법 형사17단독 김한철 판사는 특수절도 혐의로 구속기소된 남성 A씨(46), B씨(46)와 여성 C씨(39) 등 러시아인 3명에게 각각 징역 1년에 집행유예 2년을 선고했다.
이들은 지난해 11월 관광비자로 입국해 서울 지하철에서 승·하차를 반복하며 승객들의 지갑을 훔친 혐의로 재판에 넘겨졌다. 한 명이 범행 대상을 물색하면 다른 한 명은 피해자 근처에 서서 외투를 벗으며 주변 승객의 시선을 가리고, 남은 한 명은 피해자의 가방에서 지갑을 꺼내는 식으로 역할을 분담했다. 이들은 이 같은 방식으로 여성 승객 2명에게서 현금과 상품권 등 시가 200만원 상당의 금품을 훔쳤다.
A씨 등은 한국에서 15일 이내에 범행을 마치고 러시아로 도주할 계획을 세웠던 것으로 조사됐다.
이들의 범행은 도난 신고를 받고 잠복 수사를 벌인 경찰에 의해 덜미가 잡혔다. 이들은 수사기관에선 관광·쇼핑 목적으로 한국을 방문했다고 진술했다. 하지만 9일간 45시간, 하루 평균 5시간씩 지하철에서 내리지 않고 탑승했던 것으로 파악됐다.